HomeMobileCuối cùng Galaxy S23 cũng xuất hiện trên Geekbench, xác nhận được...

Cuối cùng Galaxy S23 cũng xuất hiện trên Geekbench, xác nhận được thông số kỹ thuật đáng kỳ vọng

Published on

Chỉ mới ngày hôm qua, những chiếc ốp lưng trong suốt của tất cả dòng Galaxy S23 đã bị rò rỉ, xác nhận một số chi tiết thiết kế chính mà nhiều người đã suy đoán và hôm nay, chúng ta đã có cái nhìn đầu tiên về chiếc Galaxy S23 lần đầu xuất hiện trên Geekbench, tiết lộ thông tin chi tiết về cấu hình.

Galaxy S23 có Snapdragon 8 Gen 2, nhưng chỉ có 8 GB RAM

Theo những gì được phát hiện trên Geekbench, Galaxy S23 đang chạy Snapdragon 8 Gen 2, có tên mã Kalama. Chipset dựa trên 8 lõi, với một lõi có tốc độ 3,36 GHz, ba lõi chạy ở tốc độ 2,02 GHz và bốn lõi chạy ở tốc độ 2,80 GHz.

Bạn cũng nhận được GPU Adreno 740 và 8 GB RAM. Chưa kể, Galaxy S23 sẽ chạy Android 13 ngay khi xuất xưởng.

FfQu6JUVsAA7Tsh 516x740 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Thông số kỹ thuật của Galaxy S23

Trong khi mọi thứ có vẻ rất ổn đối với Galaxy S23, nhưng lại có một điều khiến người dùng thất vọng nhất là thực tế là bạn đang nhìn vào một chiếc flagship chỉ có 8 GB RAM. Tôi hy vọng rằng Samsung sẽ công bố nhiều phiên bản nâng cấp hơn sở hữu RAM cao hơn.

Samsung dự kiến sẽ giới thiệu dòng Galaxy S23 vào quý đầu tiên của năm tới và cho đến nay, chúng ta đã nghe gần như tất cả mọi thứ mà chúng ta cần biết về các thiết bị flagship sắp tới. Có thể nói rằng Samsung đang thực hiện một kế hoạch nâng cấp các mẫu flagship theo hướng đi an toàn, khi họ chỉ nâng cấp từng chút một chứ không thay đổi nhiều so với năm ngoái.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

AMD công bố công nghệ nâng cấp hình ảnh FSR Diamond hỗ trợ dự án Project Helix

AMD vừa giới thiệu thế hệ công nghệ nâng cấp hình ảnh mới mang...

Gigabyte ra mắt bo mạch chủ Z890 Plus hỗ trợ chip Arrow Lake Refresh

Gigabyte công bố bo mạch chủ Z890 Plus trang bị Ultra Turbo Mode và...

ASUS Republic of Gamers mở đặt trước ROG Flow Z13-KJP tại Việt Nam

ASUS Republic of Gamers (ROG) Việt Nam chính thức công bố mở đặt trước...

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

tin liên quan