HomeCông NghệGalaxy S23 Ultra có thể chơi Genshin Impact ở tần số quét...

Galaxy S23 Ultra có thể chơi Genshin Impact ở tần số quét 120Hz

Published on

Galaxy S23 Ultra có thể chơi Genshin Impact ở tốc độ làm mới 120Hz là một cải tiến tuyệt vời đối với những người hâm mộ dòng game này. Tốc độ làm mới từ lâu 120Hz đã trở thành chuẩn mực khi chơi game đối với điện thoại Android. Không thể nghi ngờ gì lợi ích của tốc độ làm mới cao mang lại.

galaxy-s23-ultra-co-the-choi-genshin-impact-120hz

Galaxy S23 trở thành điện thoại đầu tiên có thể chơi Genshin Impact ở tần số quét 120Hz

Theo một tweet của Tech_Reve, đã thông báo rằng Galaxy S23 Ultra sẽ có thể chạy Genshin Impact ở 120Hz, khiến nó trở thành điện thoại đầu tiên chơi được trò chơi này ở tốc độ khung hình cao đến như vậy. Tuy nhiên, chúng tôi không chắc liệu cải tiến này chỉ có trên phiên bản S23 Ultra hay tất cả mẫu S23 đều có thể đạt được tốc độ khung hình này khi chơi Genshin Impact.

Genshin Impact không phải là tựa game đầu tiên trên Android có thể chơi ở tần số quét 120Hz. Tuy nhiên, Galaxy S23 Ultra sẽ là điện thoại đầu tiên chơi được tựa game này ở tốc độ làm mới 120Hz và chúng tôi không chắc những mẫu Flagship khác có thể làm được điều này không.

Genshin Impact' Is Free-To-Play Fun — If You Can Resist Opening Your Wallet : NPR

Genshin Impact thực sự là một trò chơi ngốn nhiều sức mạnh GPU, nhưng Galaxy S23 Ultra là một chiếc Flagship mạnh mẽ nhờ vào Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy, nên việc có thêm tính năng 120Hz là điều dễ hiểu.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

AMD công bố công nghệ nâng cấp hình ảnh FSR Diamond hỗ trợ dự án Project Helix

AMD vừa giới thiệu thế hệ công nghệ nâng cấp hình ảnh mới mang...

Gigabyte ra mắt bo mạch chủ Z890 Plus hỗ trợ chip Arrow Lake Refresh

Gigabyte công bố bo mạch chủ Z890 Plus trang bị Ultra Turbo Mode và...

ASUS Republic of Gamers mở đặt trước ROG Flow Z13-KJP tại Việt Nam

ASUS Republic of Gamers (ROG) Việt Nam chính thức công bố mở đặt trước...

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

tin liên quan