HomeMobileSamsung tung video quay lại quá trình thử nghiệm nghiêm ngặt của...

Samsung tung video quay lại quá trình thử nghiệm nghiêm ngặt của Galaxy Z Flip 5 và Z Fold 5

Published on

Độ bền luôn là mối quan tâm chính khi nói đến những chiếc điện thoại gập thông minh, vì vậy Samsung sử dụng một quy trình thử nghiệm nghiêm ngặt được thực hiện bằng máy móc, để đảm bảo mọi chỉ số phải thật chính xác – họ đã áp dụng quy trình này vào năm ngoái và một lần nữa, áp dụng trong năm nay đối với Galaxy Z Flip 5 và Z Fold 5.

samsung-qua-trinh-nghiem-galaxy-z-flip-5-va-z-fold-5

Quy trình bắt đầu với thử nghiệm, với thao tác mở và đóng, đưa điện thoại qua 200.000 chu kỳ (như đã được xác minh bởi Bureau Veritas). Sau đó là thử nghiệm thả rơi điện thoại, với thiết kế bản lề Flex mới, bao gồm cấu trúc đường ray kép, giúp giảm tối đa lực tác động.

Tiếp theo, thử nghiệm khả năng chống nước – Samsung thử nghiệm cả IPX8 (ngâm nước ở độ sâu 1,5m/5ft trong 30 phút) và IPX4 (sử dụng vòi để phun nước vào điện thoại). Có một bài kiểm tra nhiệt độ và độ ẩm, sau đó quy trình quay trở lại các bài thử nghiệm độ bền, nhằm đo lường khả năng hư hỏng sau các tác động trong bài kiểm tra thả rơi.

Để kết thúc quy trình, có hai bài kiểm tra cần vượt qua. Bài thử nghiệm đầu tiên chỉ dành riêng cho Galaxy Z Fold 5 vì nó liên quan đến việc vẽ bằng S Pen. Bài kiểm tra cuối cùng được thực hiện cho cả hai – một quả bóng thép được thả liên tục vào màn hình để đảm bảo màn hình vẫn ổn ngay cả khi bị va đập trực tiếp.

Hãy theo dõi mmosite để cập nhật thêm nhiều thông tin công nghệ và giải trí mới nhất!

Nguồn: gsmarena

tin mới nhất

Gigabyte ra mắt bo mạch chủ Z890 Plus hỗ trợ chip Arrow Lake Refresh

Gigabyte công bố bo mạch chủ Z890 Plus trang bị Ultra Turbo Mode và...

ASUS Republic of Gamers mở đặt trước ROG Flow Z13-KJP tại Việt Nam

ASUS Republic of Gamers (ROG) Việt Nam chính thức công bố mở đặt trước...

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

Intel phát hành công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng GitHub

Intel chính thức phát hành bộ công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng...

tin liên quan

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh...

Samsung dự kiến trang bị pin silicon-carbon cho dòng Galaxy S thế hệ mới

Sau nhiều năm giữ nguyên dung lượng, Samsung dự...

Kích thước camera của Galaxy S26 Ultra thua kém các đối thủ cùng phân khúc

Kích thước cảm biến camera của Samsung Galaxy S26...

Samsung kỳ vọng nhu cầu chip nhớ bùng nổ, hé lộ công nghệ HBM mới

Lãnh đạo Samsung dự báo nhu cầu bộ nhớ...

Samsung Display ra mắt công nghệ QD-OLED Penta-Tandem với cấu trúc phát quang 5 lớp

Samsung Display giới thiệu thương hiệu QD-OLED Penta-Tandem, ứng...