Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Published on

Quảng cáo

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại ở chu kỳ sạc 960, đồng thời chuyển hướng sang các mức dung lượng thấp hơn.

Kể từ sự cố kỹ thuật nghiêm trọng liên quan đến dòng thiết bị Galaxy Note 7 vào năm 2016, tập đoàn công nghệ Samsung luôn duy trì một chiến lược vô cùng thận trọng trong việc nghiên cứu và phát triển công nghệ pin di động.

pin-silicon-carbon-20-000mah-cua-samsung

Sự dè dặt mang tính bảo thủ này vô tình tạo điều kiện thuận lợi cho các nhà sản xuất thiết bị gốc đến từ Trung Quốc vươn lên chiếm lĩnh thị phần, thông qua việc tiên phong ứng dụng công nghệ pin silicon-carbon (Si/C) dung lượng cao. Đứng trước sức ép cạnh tranh ngày càng gay gắt từ các đối thủ, bộ phận nghiên cứu của hãng buộc phải tăng tốc.

Theo những tài liệu nội bộ vừa rò rỉ, Samsung đã tiến hành quá trình đánh giá và thử nghiệm một nguyên mẫu pin điện thoại thông minh khổng lồ với dung lượng lên đến 20.000mAh. Tuy nhiên, dự án đầy tham vọng này hiện đã bị đình chỉ hoàn toàn do không đáp ứng được các tiêu chuẩn kiểm định nội bộ khắt khe do chính hãng đặt ra.

Đặc tính kỹ thuật của công nghệ pin silicon-carbon

Điểm khác biệt cốt lõi làm nên sức mạnh của dòng pin silicon-carbon so với tiêu chuẩn lithium-ion truyền thống nằm ở vật liệu cấu thành cực dương. Hệ thống năng lượng thế hệ mới sử dụng một loại vật liệu composite silicon-carbon có cấu trúc nano đặc biệt, mang lại khả năng chống phân mảnh vượt trội thay vì phụ thuộc vào mạng lưới than chì tiêu chuẩn.

Cấu trúc cực dương gốc silicon sở hữu đặc tính vật lý độc đáo, cho phép lưu trữ khối lượng ion lithium cao gấp 10 lần thông thường. Nhờ đó, công nghệ này giúp gia tăng đáng kể mật độ năng lượng và dung lượng tổng thể, đồng thời vẫn duy trì được độ mỏng lý tưởng, phù hợp với xu hướng thiết kế nguyên khối của các thiết bị thông minh hiện đại. Các báo cáo phân tích xuất hiện vào thời điểm cuối năm 2025 chỉ ra rằng đơn vị Samsung SDI từng thử nghiệm nguyên mẫu pin silicon-carbon ứng dụng thiết kế lõi kép với tổng dung lượng 20.000mAh.

Cấu trúc vật lý của hệ thống này bao gồm một lõi chính dung lượng 12.000mAh sở hữu độ dày 6,3mm, kết hợp song song cùng một lõi phụ 8.000mAh có độ dày 4mm. Bất chấp những lợi thế rõ rệt về mặt thông số phần cứng, tập đoàn công nghệ Hàn Quốc đã nhanh chóng đưa ra quyết định loại bỏ thiết kế nguyên khối khổng lồ này nhằm chuyển hướng trọng tâm sang các tế bào pin có kích thước nhỏ gọn và dễ kiểm soát hơn.

Nguyên nhân thất bại và lộ trình phát triển mới

Dữ liệu kỹ thuật chi tiết vừa được chuyên gia rò rỉ thông tin công nghệ tài khoản Schrödinger công bố đã tiết lộ nguyên nhân cốt lõi dẫn đến việc hủy bỏ dự án. Theo các tài liệu này, nguyên mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung đã chính thức gặp lỗi kỹ thuật đánh giá ở mốc chu kỳ sạc thứ 960.

Để đánh giá một cách khách quan, tiêu chuẩn công nghiệp hiện hành đối với các dòng pin điện thoại thông minh sử dụng lõi lithium-ion thông thường chỉ dao động từ mức 500 đến tối đa 1.000 chu kỳ sạc. Mức chịu đựng 960 chu kỳ thực chất không hề thấp, nhưng kết quả này minh chứng cho việc ban lãnh đạo cấp cao của Samsung đã thiết lập một hệ thống tiêu chuẩn chất lượng vượt xa mặt bằng chung của thị trường.

Họ mong muốn đẩy giới hạn tuổi thọ của viên pin Si/C 20.000mAh lên một tầm cao hoàn toàn mới trước khi xem xét việc phân phối thương mại. Mặc dù dự án pin dung lượng siêu lớn đã phải dừng bước, bộ phận nghiên cứu và phát triển của hãng vẫn đang tiếp tục duy trì các hoạt động thử nghiệm đối với những cấu hình pin Si/C khác. Hiện tại, hãng đang tiến hành đánh giá chuyên sâu một nguyên mẫu pin silicon-carbon dung lượng 12.000mAh, được cấu thành từ hai lõi pin riêng biệt mang mức dung lượng 6.800mAh và 5.200mAh.

Song song với đó, một hệ thống cung cấp năng lượng 18.000mAh khác cũng đang trong quá trình hoàn thiện thiết kế, tích hợp ba lõi pin độc lập với các thông số đo lường lần lượt đạt 6.699mAh, 6.000mAh và 5.257mAh.

Nguồn: wccftech

Tin mới

Google Play trên ô tô chính thức hỗ trợ trình duyệt Firefox, phát YouTube trong nền và hàng loạt tính năng mới

Google vừa tung ra một bản cập nhật lớn nhằm nâng tầm trải nghiệm...

Intel Core 5 205H lần đầu lộ diện điểm số benchmark trên PassMark

Bộ vi xử lý Intel Raptor Lake-H không tích hợp iGPU vừa được thử...

NVIDIA DLSS 5 hiện chạy nhanh hơn 30%, giảm 20% mức ngốn VRAM

NVIDIA vừa chính thức thông báo bản cập nhật DLSS 5 mới nhất sẽ...

Chế độ Frame Generation mới của NVIDIA giúp tăng vọt FPS trên GPU RTX 50 & RTX 40

NVIDIA vừa phát hành một AI model Frame Generation mới, nhắm thẳng vào "Performance...

Universal MFG Unlocker 1.5.0 mang DLSS Preset C siêu tốc lên GPU RTX 40/30

Cộng đồng modder tiếp tục phá vỡ những giới hạn của công nghệ GPU...

Kingston Giữ Vững Vị Trí Số 1 Thị Trường Mô-đun DRAM Toàn Cầu

Kingston Technology, công ty hàng đầu thế giới về các dòng sản phẩm bộ...

Logitech G Play 2026 tại Việt nam: “Chơi để đột phá”

Logitech G Play là nền tảng toàn cầu quan trọng của Logitech G, được...

Razer nâng cấp dòng chuột Basilisk với hai phiên bản V4 Hyperspeed và V4 Pro

Với hai phiên bản Pro và HyperSpeed, dòng chuột Razer Basilisk V4 hướng đến...

ASUS mở đặt trước ProArt P16 trang bị RTX Spark chuyên cho Agentic AI tại Việt Nam

ASUS chính thức công bố mở đặt trước mẫu laptop đồ họa ProArt P16...

AMD xác nhận FSR 4 sẽ đổ bộ lên APU và Handheld vào cuối năm 2026

Là công nghệ upscaling đỉnh cao nhất của AMD, FSR 4 đang trên đà...

tin liên quan