HomeMobileExynos 2400 được mệnh danh là "Chip di động tiên tiến nhất...

Exynos 2400 được mệnh danh là “Chip di động tiên tiến nhất trên thế giới”

Published on

Các tin đồn về Exynos 2400 đã xuất hiện trở lại, với một vài thông tin nói về phương pháp sản xuất SoC tiên tiến nhất của Samsung. Theo một nguồn tin đề cập rằng về mặt phần cứng, nó sẽ là chip di động tiên tiến nhất, nhưng cũng nói về một số điểm yếu mà Samsung đang gặp phải.

Exynos 2400

Bản tin mới nhất từ RGcloudS – một leaker có tên tuổi trong ngành, nói rằng các thông số kỹ thuật cuối cùng và phương pháp sản xuất của Exynos 2400 vẫn đang được đàm phán giữa các bộ phận khác nhau thuộc Samsung. Tuy nhiên, theo những gì anh ấy nghe được, Exynos 2400 được cho là sẽ có một bước lùi, chính là sử dụng lại xuống công nghệ “I-Cube”.

“Samsung I-Cube là một công nghệ tích hợp không đồng nhất đặt một hoặc nhiều khuôn logic (CPU, GPU, v.v.) theo chiều ngang và một số khuôn bộ nhớ băng thông cao (HBM) xen kẽ silicon, làm cho nhiều khuôn hoạt động đồng bộ như một con chip duy nhất.”

Tuy nhiên, đã có tin đồn cho rằng Exynos 2400 sẽ được sản xuất hàng loạt với công nghệ Fo-WLP, hoặc phương pháp wafer Fan-out, giúp cải thiện hiệu suất tiết kiệm năng lượng đồng thời giảm độ dày của chip. Có vẻ như vì mục đích tiết kiệm chi phí, Samsung có thể chuyển sang quy trình tích hợp I-Cube, nhưng vẫn còn phải xem quyết định này có thể đạt được thành công như kì vọng của Samsung và người dùng khi ra mắt hay không.

Chip Exynos 2400 sẽ được trang bị GPU dựa trên RDNA2 mạnh mẽ với 6WGP

Trong bài báo trước đây của chúng tôi về Exynos 2400, chúng tôi đã báo cáo kết quả điểm chuẩn tương đương với chip M2 của Apple trong lần chạy Geekbench Compute, nhưng một số thông tin cho thấy rằng những con số này thường bị thổi phồng so với những gì các thiết bị thương mại có thể đạt được. Vì RGcloudS là một trong số ít cá nhân cung cấp các bản cập nhật trên Exynos 2400, nên không biết liệu anh ấy có test các phiên bản cập nhật khác hay không, vì vậy tại thời điểm này, chúng tôi vẫn chưa có thông tin chi tiết về hiệu năng của con chip này.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

AMD công bố công nghệ nâng cấp hình ảnh FSR Diamond hỗ trợ dự án Project Helix

AMD vừa giới thiệu thế hệ công nghệ nâng cấp hình ảnh mới mang...

Gigabyte ra mắt bo mạch chủ Z890 Plus hỗ trợ chip Arrow Lake Refresh

Gigabyte công bố bo mạch chủ Z890 Plus trang bị Ultra Turbo Mode và...

ASUS Republic of Gamers mở đặt trước ROG Flow Z13-KJP tại Việt Nam

ASUS Republic of Gamers (ROG) Việt Nam chính thức công bố mở đặt trước...

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

tin liên quan

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh...

Samsung dự kiến trang bị pin silicon-carbon cho dòng Galaxy S thế hệ mới

Sau nhiều năm giữ nguyên dung lượng, Samsung dự...

Kích thước camera của Galaxy S26 Ultra thua kém các đối thủ cùng phân khúc

Kích thước cảm biến camera của Samsung Galaxy S26...

Samsung kỳ vọng nhu cầu chip nhớ bùng nổ, hé lộ công nghệ HBM mới

Lãnh đạo Samsung dự báo nhu cầu bộ nhớ...

Samsung Display ra mắt công nghệ QD-OLED Penta-Tandem với cấu trúc phát quang 5 lớp

Samsung Display giới thiệu thương hiệu QD-OLED Penta-Tandem, ứng...