HomeCông NghệSamsung ra mắt SSD PCI-E 5.0 dòng 9100 PRO: Dung lượng lên...

Samsung ra mắt SSD PCI-E 5.0 dòng 9100 PRO: Dung lượng lên đến 8 TB và tốc độ đọc 14.800 MB/giây

Published on

Samsung vừa giới thiệu ổ cứng SSD 9100 PRO với nhiều dung lượng khác nhau, được trang bị chuẩn PCI-E 5.0 siêu nhanh cho tốc độ đọc và ghi tuần tự đáng kinh ngạc.

Để đáp ứng nhu cầu về bộ nhớ chuẩn PCI-E 5.0, Samsung đã có động thái khi ra mắt ổ SSD PCI-E 5.0 Pro series đầu tiên, có tên gọi là “9100 PRO”. Dòng 9100 PRO cung cấp nhiều dung lượng khác nhau.

Ổ cứng SSD 9100 PRO có thể cung cấp dung lượng lên đến 8 TB nhưng cũng có sẵn ở các kích thước nhỏ hơn, bao gồm 1 TB, 2 TB và 4 TB. Khi chuyển từ PCI-E 4.0 sang PCI-E 5.0, tốc độ đọc và ghi tuần tự gần như tăng gấp đôi nhưng không nhất thiết tạo ra sự khác biệt trong quá trình sử dụng thực tế.

9100 PRO 8 TB

Samsung 9100 PRO đạt tốc độ lên đến 14.800 MB/giây và 13.400 MB/giây. Ổ cứng sử dụng V NAND TLC (V8) của Samsung, NAND dọc thế hệ thứ tám, áp dụng công nghệ TCL 1 terabit và có thể đạt tốc độ I/O lên đến 2,4 Gbps, cung cấp tốc độ tăng cường 1,2 lần so với thế hệ trước.

9100 PRO SSD

9100 PRO lần đầu ra mắt lần đầu tại hội nghị GTC, hướng đến các hệ thống hiệu suất cao. Ngoài tốc độ đọc/ghi tuần tự cực cao, 9100 PRO còn cực nhanh ở tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên, lên đến 2.200K/2.600K IOPS, cao hơn đáng kể so với tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên 1.400K/1.550K của Samsung 990 PRO.

Samsung 9100 PRO

9100 PRO được chế tạo dựa trên kiến trúc 5nm do chính Samsung chế tạo, cho phép đóng gói nhiều bóng bán dẫn hơn trước. Điều này không chỉ ảnh hưởng đến hiệu suất của SSD mà còn giúp SSD tiết kiệm điện hơn. Theo tuyên bố, SSD tiết kiệm điện hơn 49% so với thế hệ trước.

Hiện tại, người dùng có thể mua các phiên bản 1 TB, 2 TB và 4 TB trên trang web chính thức của Samsung.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

Intel phát hành công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng GitHub

Intel chính thức phát hành bộ công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng...

Snapdragon X2 Elite Extreme lộ điểm chuẩn, hiệu năng vẫn xếp sau chip Apple M5

Vi xử lý Snapdragon X2 Elite Extreme 18 nhân của Qualcomm ghi nhận điểm...

ASRock đạt tốc độ 7400 MT/s với RAM DDR5 CQDIMM 256GB trên Z890I Nova WiFi R2.0

ASRock vừa chứng minh khả năng đạt tốc độ cực cao trên cấu hình...

tin liên quan

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh...

Samsung dự kiến trang bị pin silicon-carbon cho dòng Galaxy S thế hệ mới

Sau nhiều năm giữ nguyên dung lượng, Samsung dự...

Kích thước camera của Galaxy S26 Ultra thua kém các đối thủ cùng phân khúc

Kích thước cảm biến camera của Samsung Galaxy S26...

Samsung kỳ vọng nhu cầu chip nhớ bùng nổ, hé lộ công nghệ HBM mới

Lãnh đạo Samsung dự báo nhu cầu bộ nhớ...

Samsung Display ra mắt công nghệ QD-OLED Penta-Tandem với cấu trúc phát quang 5 lớp

Samsung Display giới thiệu thương hiệu QD-OLED Penta-Tandem, ứng...