Samsung đã thảo luận về kế hoạch phát triển SSD Petabyte với công nghệ NAND 3D trong tương lai mặc dù những chiếc SSD này có thể ra mắt sau hơn một thập kỷ tới.
Tại Hội nghị thượng đỉnh của thị trường bộ nhớ flash Trung Quốc năm nay (CFMS2023), Samsung Electronics đã tham dự cùng với các công ty bộ nhớ flash nổi tiếng khác, chẳng hạn như Micron, Kioxa, Arm, Solidigm, Phison, v.v.
Samsung Electronics đã thảo luận với khán giả về chủ đề “Sự tái phát triển của bộ nhớ Flash và hướng tới một kỷ nguyên mới”. Cuộc thảo luận này nêu ra những khó khăn trong việc đạt được dung lượng cao như vậy với bộ nhớ flash 3D NAND.
Kyungryun Kim, Phó chủ tịch/Tổng giám đốc của Nhóm hoạch định sản phẩm NAND tại Samsung Electronics, giải thích về ba cấp độ công nghệ — mở rộng quy mô vật lý, mở rộng logic và công nghệ package — không chỉ đang phát triển mà về mặt lý thuyết còn có khả năng đạt dung lượng một petabyte (PB), hoặc 1.024 terabyte (TB).
Tuy nhiên, Samsung sẽ không đạt được mục tiêu đó trong mười năm nữa bởi các trở ngại của công nghệ hiện tại. Ngoài ra, công ty đang tìm cách sử dụng công nghệ tế bào bốn cấp cho nhiều thiết bị bộ nhớ hơn và tập trung vào việc nâng cấp công nghệ trở nên tinh vi hơn.
Trong khi thảo luận về các lộ trình tiến hóa để đạt được dung lượng cấp năm, công ty cũng trưng bày ổ đĩa thể rắn (SSD) PCIe 5.0 sê-ri PM1743. Dòng PM1743 mới tiết kiệm năng lượng hơn tới 40% so với các phiên bản trước đây và đã được thử nghiệm để tương thích với các nền tảng Intel và AMD PCIe Gen 5.
Samsung luôn im lặng khi thảo luận về những công nghệ của mình, đặc biệt là bộ nhớ 3D NAND. Nhà sản xuất này hiện đang tiếp tục tìm cách đưa các thiết bị NAND 3D tế bào bốn cấp tiếp cận được công chúng với tỷ lệ sử dụng rộng rãi hơn.
Samsung cảm thấy rằng việc tập trung vào công nghệ bộ điều khiển mới hơn sẽ đạt được những mục tiêu đáng giá. Hiện tại, công ty đã mở rộng quy mô vật lý cho các thiết bị 3D NAND. Tuy nhiên, Samsung sẽ cần nghiên cứu mở rộng quy mô hợp lý để có quyền truy cập thiết bị bộ nhớ trên một nghìn lớp. Chia tỷ lệ hợp lý sẽ cho phép tăng số lượng bit thông tin được lưu trữ trong mỗi cell.
Nguồn: wccftech
