HomeMobileSamsung Galaxy Tab S9 Ultra lộ những hình ảnh renders đầu tiên

Samsung Galaxy Tab S9 Ultra lộ những hình ảnh renders đầu tiên

Published on

Dòng Galaxy Tab S9 của Samsung được cho rằng sẽ ra mắt cùng với Galaxy Z Fold 5, Z Flip 5 và Watch 6 vào cuối tháng 7 và hiện tại những hình ảnh renders mới nhất của Galaxy Tab S9 Ultra do OnLeaks và MySmartprice đăng tải đã nhận được nhiều sự quan tâm. 

Những hình ảnh mới nhất đã xác nhận thiết kế cơ bản của Tab S9 Ultra sẽ không khác nhiều so với người tiền nhiệm, với màn hình AMOLED 14,6 inch độ phân giải 2960 x 1848 px và camera selfie kép được thiết kế hình chữ V.

gsmarena 004 3 MMOSITE - Thông tin công nghệ gsmarena 001 3 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Mặt sau của thiết bị có thiết kế thay đổi một chút với hai camera được tách riêng và bao bọc bởi các vòng kim loại riêng phía trên đế sạc không dây dành cho bút S pen. Galaxy Tab S9 Ultra sẽ có cùng kích thước 326,4 x 208,6 x 5,5mm và sẽ nặng hơn một chút ở mức 737 gram của người tiền nhiệm. Galaxy Tab S9 Ultra sẽ có pin 11.200mAh cùng với công nghệ sạc nhanh 45W.

gsmarena 002 3 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ gsmarena 003 2 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Samsung Galaxy Tab S9 Ultra cũng được dự đoán là đạt tiêu chuẩn IP68 và dự kiến sẽ chạy One UI 5.1 dựa trên Android 13 . Toàn bộ dòng sản phẩm Tab S9 dự kiến sẽ được trang bị chipset Snapdragon 8 Gen 2 cho Galaxy cùng với RAM 8/12/16GB và dung lượng lưu trữ 128/256/512GB. Phiên bản 8/128GB dự kiến sẽ có công nghệ lưu trữ UFS 3.1 trong khi các phiên bản cảo cấp hơn sẽ có công nghệ UFS 4.0.

Nguồn: gsmarena

tin mới nhất

AMD công bố công nghệ nâng cấp hình ảnh FSR Diamond hỗ trợ dự án Project Helix

AMD vừa giới thiệu thế hệ công nghệ nâng cấp hình ảnh mới mang...

Gigabyte ra mắt bo mạch chủ Z890 Plus hỗ trợ chip Arrow Lake Refresh

Gigabyte công bố bo mạch chủ Z890 Plus trang bị Ultra Turbo Mode và...

ASUS Republic of Gamers mở đặt trước ROG Flow Z13-KJP tại Việt Nam

ASUS Republic of Gamers (ROG) Việt Nam chính thức công bố mở đặt trước...

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

tin liên quan