Samsung hoãn vô thời hạn quá trình sản xuất bộ nhớ HBM5E do tỷ lệ đạt chuẩn của công nghệ DRAM D1d không đáp ứng mục tiêu đề ra.
Khó khăn trong quy trình sản xuất DRAM D1d
Theo báo cáo từ chuyên trang công nghệ IT Chosun của Hàn Quốc, Samsung có khả năng phải tạm dừng kế hoạch sản xuất hàng loạt các giải pháp bộ nhớ thế hệ mới. Nguyên nhân chính xuất phát từ việc tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn của công nghệ DRAM D1d, dựa trên tiến trình 10nm, đang ở mức thấp hơn nhiều so với kỳ vọng.
Mặc dù công nghệ vi mạch này đã vượt qua giai đoạn phê duyệt tiền sản xuất, giới lãnh đạo doanh nghiệp vẫn bày tỏ sự lo ngại về tỷ suất hoàn vốn. Việc khởi động dây chuyền thử nghiệm hoặc tiến tới sản xuất hàng loạt ở thời điểm hiện tại mang lại rủi ro tài chính lớn do năng suất chưa đạt yêu cầu.
Các nguồn tin nội bộ cho biết hãng điện tử Hàn Quốc quyết định lùi thời điểm sản xuất vô thời hạn cho đến khi thông số kỹ thuật nội bộ được cải thiện. Hiện tại, ngày nối lại dự án vẫn chưa được ban lãnh đạo ấn định. Trọng tâm của hãng lúc này là đánh giá lại toàn bộ lộ trình quy trình kỹ thuật để tìm ra giải pháp tối ưu hóa năng suất gia công.
Vai trò của vi mạch mới trong lộ trình HBM
Công nghệ DRAM D1d đóng vai trò cốt lõi trong chiến lược phát triển hệ thống bộ nhớ HBM tương lai của Samsung. Nền tảng này dự kiến được ứng dụng trên HBM5E, giải pháp bộ nhớ thế hệ thứ 9 của công ty bán dẫn Hàn Quốc.
Song song với đó, công nghệ DRAM 1c hiện hành vẫn đang được sử dụng xuyên suốt ba thế hệ sản phẩm bao gồm HBM4, HBM4E và HBM5. Theo kế hoạch, HBM4 sẽ chính thức ra mắt vào cuối năm nay, phục vụ trực tiếp cho các nền tảng trí tuệ nhân tạo Vera Rubin của NVIDIA và MI400 của AMD. Thế hệ HBM4E được định hướng sử dụng cho các bộ tăng tốc phần cứng Rubin Ultra và MI500.
Dòng HBM5 cùng các thiết kế tùy chỉnh dự kiến tích hợp vào dòng sản phẩm Feynman của NVIDIA và nhiều giải pháp cạnh tranh khác trên thị trường. Dù Samsung đã nỗ lực rút ngắn đáng kể chu kỳ nghiên cứu HBM nhằm tăng tốc độ hoàn thiện sản phẩm, giai đoạn chuyển đổi sang dây chuyền sản xuất thương mại lại gặp phải điểm nghẽn kỹ thuật nghiêm trọng. Sự khác biệt giữa môi trường phát triển và năng lực sản xuất thực tế đang là rào cản lớn nhất đối với hãng công nghệ này.
Mở rộng hạ tầng và đối đầu với SK Hynix
Nhằm giải quyết những hạn chế hiện tại, Samsung Electronics đang tăng cường đầu tư nguồn lực vào việc xây dựng một nhà máy chế tạo vi mạch quy mô lớn tại khu vực Onyang, Hàn Quốc.
Cơ sở hạ tầng mới sở hữu diện tích tương đương bốn sân bóng đá, được thiết kế chuyên biệt để sản xuất các sản phẩm DRAM thế hệ mới, bao gồm cả hệ thống HBM. Nhà máy đảm nhiệm toàn bộ các khâu quan trọng từ đóng gói, kiểm tra chất lượng, logistics đến kiểm soát chuỗi cung ứng, đảm bảo quy trình sản xuất diễn ra liên tục. Việc mở rộng cơ sở hạ tầng sản xuất kết hợp cùng tốc độ phát triển công nghệ được xem là chiến lược trọng tâm giúp Samsung cạnh tranh trực tiếp với đối thủ đồng hương SK Hynix.
Trên thực tế, SK Hynix đã phát triển thành công và đảm bảo được tỷ lệ đạt chuẩn cho công nghệ DRAM D1d của riêng họ. Cả hai tập đoàn đều đang tham gia vào cuộc đua khốc liệt nhằm giành lấy các hợp đồng cung cấp linh kiện từ những công ty công nghệ trí tuệ nhân tạo hàng đầu. Lợi thế sẽ thuộc về doanh nghiệp nào có khả năng đa dạng hóa kế hoạch HBM, duy trì năng suất sản xuất cao và đảm bảo tỷ suất hoàn vốn ổn định.
Nguồn: wccftech
![A bar chart titled '[x3d-rag-benchmark] Throughput(req/s)' shows the R7 9850X3D with the highest throughput at 19.1 req/s, while the U9 285K scores 13.9 req/s.](https://cdn.wccftech.com/wp-content/uploads/2026/04/AMD-3D-V-cache-CPUs-_-RAG-AI-Benchmark-_-Throughput.jpg "Vi xử lý AMD Ryzen 3D V-Cache tăng 88% hiệu suất mô hình AI RAG 19")
![A bar chart titled '[x3d-rag-benchmark] 평균 TTFT(낮을수록 좋음)' shows the U9 285K scoring the highest at 148.5.](https://cdn.wccftech.com/wp-content/uploads/2026/04/AMD-3D-V-cache-CPUs-_-RAG-AI-Benchmark-_-TTFT.jpg "Vi xử lý AMD Ryzen 3D V-Cache tăng 88% hiệu suất mô hình AI RAG 20")
