SK Hynix giới thiệu bộ nhớ HBM4E tại Computex 2026, cung cấp băng thông kỷ lục 4 TB/s cùng dung lượng 48 GB trên cấu trúc xếp chồng 12 lớp.
Cải tiến về mật độ và băng thông trên cấu trúc HBM4E
Cuộc đua phát triển bộ nhớ băng thông cao đang diễn ra mạnh mẽ giữa các nhà sản xuất bán dẫn. Tại sự kiện Computex 2026, SK Hynix đã trình diễn giải pháp HBM4E thế hệ mới với những nâng cấp quan trọng về mật độ khuôn và băng thông truyền tải dữ liệu. Tiêu chuẩn HBM hiện tại đang được các công ty như NVIDIA và AMD ứng dụng trên nhiều dải sản phẩm xử lý đồ họa máy chủ trí tuệ nhân tạo thuộc dòng Rubin và MI400.
Mặc dù cấu trúc HBM4 mang lại nhiều giá trị cốt lõi về hiệu năng và mức độ tiêu thụ điện, nhu cầu xử lý các mô hình ngôn ngữ khổng lồ vẫn liên tục đòi hỏi mức dung lượng cao hơn đi kèm tốc độ truyền tải nhanh hơn. Đáp ứng nhu cầu thực tế, mẫu bộ nhớ HBM4E của SK Hynix sở hữu mật độ 32Gb, tăng 33% so với thế hệ HBM4.
Thông số kỹ thuật này cho phép nhà sản xuất tích hợp dung lượng 48 GB vào một cấu trúc 12 lớp xếp chồng, tương đương với mức dung lượng yêu cầu cấu trúc 16 lớp trên chuẩn phần cứng cũ. Bộ nhớ thế hệ mới hoạt động với tốc độ chân cắm lên đến 16 Gbps, ghi nhận mức tăng 37% và đẩy tổng băng thông dữ liệu chạm ngưỡng kỷ lục 4 TB/s. SK Hynix hiện dẫn đầu hoạt động thương mại hóa HBM4E thông qua việc cung cấp nguyên mẫu thử nghiệm.
Giới chuyên gia nhận định loại linh kiện này sẽ được ứng dụng thực tế trên kiến trúc vi xử lý đồ họa NVIDIA Rubin Ultra ra mắt vào năm sau. Thiết kế nền tảng mới áp dụng cấu trúc đóng gói mật độ cao, tích hợp nhiều vi mạch GPU và cụm HBM4E vào một thể thống nhất nhằm cung cấp hiệu suất tính toán vượt trội.
Công nghệ đóng gói NAND xếp chồng ứng dụng cấu trúc TSV
Bên cạnh công nghệ bộ nhớ băng thông cao, SK Hynix đang phát triển thế hệ thiết bị lưu trữ NAND xếp chồng hoàn toàn mới. Hệ thống này sử dụng thiết kế tương tự nền tảng HBM bằng cách liên kết nhiều khuôn NAND thông qua cấu trúc xuyên silicon chuyên dụng.
Mục tiêu của phương pháp chế tạo này là kết hợp thông lượng xử lý dữ liệu khổng lồ của HBM với mức dung lượng lưu trữ cực lớn của ổ cứng thể rắn. Nền tảng công nghệ mới sở hữu nhiều điểm tương đồng với các cấu trúc HBF và Z-Angle đang được nghiên cứu trên thị trường bán dẫn.
Sự xuất hiện của loại hình linh kiện lai đóng vai trò giải quyết bài toán mất cân đối giữa nguồn cung và nhu cầu sử dụng bộ nhớ tốc độ cao trong phân khúc thiết bị trung tâm dữ liệu.
Dải sản phẩm bộ nhớ LPCAMM2 và công nghệ lưu trữ V9 NAND
Tại khu vực trưng bày, SK Hynix cũng giới thiệu nguyên mẫu mô-đun bộ nhớ LPCAMM2 dung lượng 96 GB. Linh kiện này được sản xuất trên tiến trình công nghệ 1cnm hiện đại nhất của hãng, hoạt động dựa trên tiêu chuẩn LPDDR5X.
Thiết bị có khả năng đạt tốc độ truyền tải dữ liệu 9,6 Gbps và dự kiến được tung ra thị trường vào nửa cuối năm nay nhằm hỗ trợ các thế hệ máy tính cá nhân tối ưu hóa trí tuệ nhân tạo. Ngoài ra, nhà sản xuất Hàn Quốc cũng cung cấp thông tin chi tiết về dải công nghệ lưu trữ V9 NAND hỗ trợ cả hai định dạng QLC và TLC.
Cấu trúc bộ nhớ này cho phép tạo ra các ổ cứng cSSD với dung lượng tối đa 2 TB. Dòng sản phẩm đặc biệt phù hợp cho những hệ thống máy tính có thiết kế ngoại hình nhỏ gọn, đảm bảo hiệu suất sử dụng năng lượng cao nhờ việc loại bỏ hoàn toàn bộ nhớ đệm DRAM truyền thống.
Nguồn: wccftech
