Tại sự kiện Future of Memory and Storage (FMS) 2026 diễn ra ở Santa Clara (California, Mỹ), Samsung đã mang đến hàng loạt giải pháp bộ nhớ và lưu trữ thế hệ mới, đánh dấu bước tiến nhảy vọt trong việc tối ưu hóa phần cứng cho kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo.
BV-NAND V10: Vượt mốc 400 lớp lưu trữ
Kỷ niệm 13 năm ngày ra mắt công nghệ V-NAND đầu tiên, Samsung tiếp tục khẳng định vị thế tiên phong khi trình làng thế hệ thứ 10 mang tên BV-NAND (Bonded V-NAND). Đây là bộ nhớ flash sở hữu cấu trúc xếp chồng hơn 400 lớp, ứng dụng công nghệ ghép nối tinh vi của hãng.
So với thế hệ V9 tiền nhiệm, V10 gia tăng mật độ lưu trữ lên tới 58%. Nhờ số lượng lớp nhớ vượt trội, V10 không chỉ cải thiện đáng kể tốc độ đọc, ghi và băng thông I/O mà còn tối ưu hóa hiệu quả tiêu thụ điện năng.
zHBM: Giải pháp độc quyền thay đổi cuộc chơi AI
Bên cạnh việc xác nhận đã cung cấp các mẫu thử HBM4E cho đối tác và hé lộ tiêu chuẩn HBM5 (High Bandwidth Memory) sắp tới của toàn ngành, điểm sáng thực sự của Samsung tại FMS 2026 là công nghệ bộ nhớ độc quyền zHBM.
zHBM hứa hẹn mang lại hiệu năng cao gấp 8 lần so với HBM5. Nhờ làm chủ công nghệ ghép nối tấm silicon (wafer bonding), Samsung cho biết zHBM có thể đạt mật độ lưu trữ gấp 10 lần và tiết kiệm năng lượng gấp 3 lần chuẩn HBM5.
Điểm đột phá của zHBM nằm ở cấu trúc vật lý: thay vì đặt cạnh nhau trên bo mạch, zHBM được thiết kế để xếp chồng trực tiếp lên trên các bộ tăng tốc AI. Việc thu ngắn tối đa khoảng cách truyền tải tín hiệu dữ liệu chính là chìa khóa giúp công nghệ này bứt phá về cả tốc độ lẫn hiệu suất năng lượng.
zNAND-O và LPDDR5X-PIM: Hoàn thiện hệ sinh thái AI
Một cái tên đáng chú ý khác là zNAND-O, dòng bộ nhớ flash thế hệ mới được phát triển từ nền tảng V-NAND. Hãng đang nghiên cứu các phiên bản 4 lớp và 8 lớp với cam kết mang lại hiệu quả sử dụng không gian cao, hiệu suất I/O cải thiện và độ trễ thấp hơn so với chuẩn NAND thông thường. Trong khi zHBM tập trung phục vụ đào tạo và suy luận AI trên đám mây (cloud), zNAND-O lại được thiết kế chuyên biệt cho AI vùng biên (edge AI).
Hãng cũng phô diễn LPDDR5X-PIM, thế hệ RAM LPDDR đầu tiên trong ngành tích hợp công nghệ Xử lý ngay trong Bộ nhớ (Processing-In-Memory). Tính năng này cho phép tự động xử lý một phần dữ liệu ngay tại bộ nhớ trước khi chuyển kết quả tới CPU, qua đó giải quyết bài toán nghẽn băng thông và hao hụt điện năng.
Những tầm nhìn chiến lược này đã được truyền tải qua bài phát biểu khai mạc mang tên “Thúc đẩy Làn sóng Cách mạng AI: Những Đổi mới 3D trong Kiến trúc Bộ nhớ và Lưu trữ” của hai lãnh đạo cấp cao Jin-Yub Lee và Kyungryun Kim. Màn trình diễn tại FMS 2026 một lần nữa khẳng định tham vọng của Samsung trong việc tạo ra các chuẩn mực phần cứng mới để tối đa hóa hiệu suất hệ thống AI toàn cầu.
Nguồn: gsmarena
