TSMC vừa tiết lộ thêm thông tin chi tiết về công nghệ “2nm N2”, cho thấy những tiến bộ vượt bậc về hiệu năng và năng lượng tiêu thụ.

Tiến trình 2nm của gã khổng lồ Đài Loan là một trong những công nghệ được mong đợi nhất trên thị trường, vì tiến trình này dự kiến ​​sẽ mang lại những bước nhảy vọt khổng lồ về hiệu năng và điện năng tiêu thụ. Tiến trình này có khả năng sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2025 và tại cuộc họp báo của gã khổng lồ Đài Loan ở Hội nghị Thiết bị Điện tử Quốc tế IEEE (IEDM), nơi “tấm nano” 2nm là điểm nhấn, khi những thông tin chính thức về hiệu năng của nó chính thức được tiết lộ.

TSMC nhấn mạnh rằng tiến trình 2nm của họ đã đạt ​​hiệu suất cao hơn 15%, với mức tiêu thụ điện năng ít hơn tới 30%. Hơn nữa, tiến trình này đã chứng kiến ​​mật độ bóng bán dẫn tăng 1,15 lần nhờ vào việc sử dụng bóng bán dẫn nanosheet cổng toàn diện (GAA) và N2 NanoFlex, cho phép các nhà sản xuất nhét các ô logic khác nhau vào một diện tích tối thiểu, giúp tối ưu hóa hiệu suất.

Bằng cách chuyển đổi từ công nghệ FinFET truyền thống sang “nanosheet” N2 chuyên dụng, TSMC đã có thể kiểm soát tốt hơn dòng điện, cho phép nhà sản xuất tinh chỉnh các thông số tùy thuộc vào các trường hợp sử dụng.

Nguồn: wccftech