HomeCông NghệPin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Published on

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại ở chu kỳ sạc 960, đồng thời chuyển hướng sang các mức dung lượng thấp hơn.

Kể từ sự cố kỹ thuật nghiêm trọng liên quan đến dòng thiết bị Galaxy Note 7 vào năm 2016, tập đoàn công nghệ Samsung luôn duy trì một chiến lược vô cùng thận trọng trong việc nghiên cứu và phát triển công nghệ pin di động.

pin-silicon-carbon-20-000mah-cua-samsung

Sự dè dặt mang tính bảo thủ này vô tình tạo điều kiện thuận lợi cho các nhà sản xuất thiết bị gốc đến từ Trung Quốc vươn lên chiếm lĩnh thị phần, thông qua việc tiên phong ứng dụng công nghệ pin silicon-carbon (Si/C) dung lượng cao. Đứng trước sức ép cạnh tranh ngày càng gay gắt từ các đối thủ, bộ phận nghiên cứu của hãng buộc phải tăng tốc.

Theo những tài liệu nội bộ vừa rò rỉ, Samsung đã tiến hành quá trình đánh giá và thử nghiệm một nguyên mẫu pin điện thoại thông minh khổng lồ với dung lượng lên đến 20.000mAh. Tuy nhiên, dự án đầy tham vọng này hiện đã bị đình chỉ hoàn toàn do không đáp ứng được các tiêu chuẩn kiểm định nội bộ khắt khe do chính hãng đặt ra.

Đặc tính kỹ thuật của công nghệ pin silicon-carbon

Điểm khác biệt cốt lõi làm nên sức mạnh của dòng pin silicon-carbon so với tiêu chuẩn lithium-ion truyền thống nằm ở vật liệu cấu thành cực dương. Hệ thống năng lượng thế hệ mới sử dụng một loại vật liệu composite silicon-carbon có cấu trúc nano đặc biệt, mang lại khả năng chống phân mảnh vượt trội thay vì phụ thuộc vào mạng lưới than chì tiêu chuẩn.

Cấu trúc cực dương gốc silicon sở hữu đặc tính vật lý độc đáo, cho phép lưu trữ khối lượng ion lithium cao gấp 10 lần thông thường. Nhờ đó, công nghệ này giúp gia tăng đáng kể mật độ năng lượng và dung lượng tổng thể, đồng thời vẫn duy trì được độ mỏng lý tưởng, phù hợp với xu hướng thiết kế nguyên khối của các thiết bị thông minh hiện đại. Các báo cáo phân tích xuất hiện vào thời điểm cuối năm 2025 chỉ ra rằng đơn vị Samsung SDI từng thử nghiệm nguyên mẫu pin silicon-carbon ứng dụng thiết kế lõi kép với tổng dung lượng 20.000mAh.

Cấu trúc vật lý của hệ thống này bao gồm một lõi chính dung lượng 12.000mAh sở hữu độ dày 6,3mm, kết hợp song song cùng một lõi phụ 8.000mAh có độ dày 4mm. Bất chấp những lợi thế rõ rệt về mặt thông số phần cứng, tập đoàn công nghệ Hàn Quốc đã nhanh chóng đưa ra quyết định loại bỏ thiết kế nguyên khối khổng lồ này nhằm chuyển hướng trọng tâm sang các tế bào pin có kích thước nhỏ gọn và dễ kiểm soát hơn.

Nguyên nhân thất bại và lộ trình phát triển mới

Dữ liệu kỹ thuật chi tiết vừa được chuyên gia rò rỉ thông tin công nghệ tài khoản Schrödinger công bố đã tiết lộ nguyên nhân cốt lõi dẫn đến việc hủy bỏ dự án. Theo các tài liệu này, nguyên mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung đã chính thức gặp lỗi kỹ thuật đánh giá ở mốc chu kỳ sạc thứ 960.

Để đánh giá một cách khách quan, tiêu chuẩn công nghiệp hiện hành đối với các dòng pin điện thoại thông minh sử dụng lõi lithium-ion thông thường chỉ dao động từ mức 500 đến tối đa 1.000 chu kỳ sạc. Mức chịu đựng 960 chu kỳ thực chất không hề thấp, nhưng kết quả này minh chứng cho việc ban lãnh đạo cấp cao của Samsung đã thiết lập một hệ thống tiêu chuẩn chất lượng vượt xa mặt bằng chung của thị trường.

Họ mong muốn đẩy giới hạn tuổi thọ của viên pin Si/C 20.000mAh lên một tầm cao hoàn toàn mới trước khi xem xét việc phân phối thương mại. Mặc dù dự án pin dung lượng siêu lớn đã phải dừng bước, bộ phận nghiên cứu và phát triển của hãng vẫn đang tiếp tục duy trì các hoạt động thử nghiệm đối với những cấu hình pin Si/C khác. Hiện tại, hãng đang tiến hành đánh giá chuyên sâu một nguyên mẫu pin silicon-carbon dung lượng 12.000mAh, được cấu thành từ hai lõi pin riêng biệt mang mức dung lượng 6.800mAh và 5.200mAh.

Song song với đó, một hệ thống cung cấp năng lượng 18.000mAh khác cũng đang trong quá trình hoàn thiện thiết kế, tích hợp ba lõi pin độc lập với các thông số đo lường lần lượt đạt 6.699mAh, 6.000mAh và 5.257mAh.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

Intel phát hành công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng GitHub

Intel chính thức phát hành bộ công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng...

Snapdragon X2 Elite Extreme lộ điểm chuẩn, hiệu năng vẫn xếp sau chip Apple M5

Vi xử lý Snapdragon X2 Elite Extreme 18 nhân của Qualcomm ghi nhận điểm...

ASRock đạt tốc độ 7400 MT/s với RAM DDR5 CQDIMM 256GB trên Z890I Nova WiFi R2.0

ASRock vừa chứng minh khả năng đạt tốc độ cực cao trên cấu hình...

Úc áp dụng kiểm tra độ tuổi với game R18+, GTA Online bị ảnh hưởng

Người chơi tại Úc sắp phải xác minh độ tuổi khi truy cập game...

AWS bị tấn công drone, hai vùng dữ liệu tại Trung Đông ngừng hoạt động

Ba trung tâm dữ liệu Amazon Web Services tại UAE và Bahrain bị tấn...

tin liên quan

Samsung dự kiến trang bị pin silicon-carbon cho dòng Galaxy S thế hệ mới

Sau nhiều năm giữ nguyên dung lượng, Samsung dự...

Kích thước camera của Galaxy S26 Ultra thua kém các đối thủ cùng phân khúc

Kích thước cảm biến camera của Samsung Galaxy S26...

Samsung kỳ vọng nhu cầu chip nhớ bùng nổ, hé lộ công nghệ HBM mới

Lãnh đạo Samsung dự báo nhu cầu bộ nhớ...

Samsung Display ra mắt công nghệ QD-OLED Penta-Tandem với cấu trúc phát quang 5 lớp

Samsung Display giới thiệu thương hiệu QD-OLED Penta-Tandem, ứng...