HomeCông NghệLexar ra mắt SSD Lexar Professional NM800 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe...

Lexar ra mắt SSD Lexar Professional NM800 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe tốc độ 7GB/s

Published on

Lexar công bố SSD Lexar Professional NM800 M.2 2280 PCIe Gen4x4 NVMe mới. Sản phẩm này được thiết kế cho các game thủ chuyên nghiệp và các chuyên gia sáng tạo đang cần tốc độ vượt trội cho máy chủ và máy chơi game.

Ổ cứng SSD Lexar Professional NM800 M.2 2280 NVMe cung cấp hiệu suất SSD tối đa cho tốc độ máy tính, tăng lên đến 7400MB/s đọc và 5800MB/s ghi. Gấp 12.7 lần tốc độ của SSD dựa trên SATA3. SSD này cũng được hỗ trợ bởi tiêu chuẩn công nghệ PCIe Gen4x4 NVMe 1.4 và tương thích ngược với PCIe 3.0, tăng thêm tính linh hoạt cho quy trình làm việc chuyên nghiệp của bạn.

NM800 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Được phát triển với bộ điều khiển 12nm, SSD Professional NM800 tạo ra mức tiêu thụ điện năng thấp để có tuổi thọ pin lâu hơn và trải nghiệm người dùng tốt hơn.

Không giống như ổ đĩa cứng truyền thống, SSD NM800 không có bộ phận chuyển động nên nó được chế tạo để tồn tại lâu dài. Trên hết, SSD này còn có khả năng chống sốc và chống rung, khiến nó trở thành một ổ SSD mạnh mẽ và đáng tin cậy.

NM800 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Tất cả các thiết kế sản phẩm của Lexar đều trải qua quá trình thử nghiệm trong Phòng thí nghiệm Lexar, cơ sở có hơn 1100 thiết bị kỹ thuật số, để đảm bảo hiệu suất, chất lượng, khả năng tương thích và độ tin cậy.

  1. Tốc độ đọc lên đến 7400 MB/s, tốc độ ghi thấp hơn. Tốc độ dựa trên thử nghiệm nội bộ. Hiệu suất thực tế có thể thay đổi.
  2. Chống va đập (1500G, thời lượng 0,5ms, Sóng nửa hình sin) và chống rung (10 ~ 2000Hz, 1.5mm, 20G, 1 Oct /phút, 30 phút/trục (X, Y, Z)). Dựa trên thử nghiệm nội bộ. Hiệu suất thực tế có thể thay đổi.
  3. So sánh dựa trên thử nghiệm nội bộ. Hiệu suất thực tế có thể thay đổi.

NM800 2 MMOSITE - Thông tin công nghệ

tin mới nhất

SK hynix phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 tiến trình 1c tốc độ 10,7 Gbps

SK hynix vừa công bố phát triển thành công bộ nhớ LPDDR6 16Gb dựa...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh do thử nghiệm thất bại...

Intel phát hành công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng GitHub

Intel chính thức phát hành bộ công cụ XeSS 3 SDK trên nền tảng...

Snapdragon X2 Elite Extreme lộ điểm chuẩn, hiệu năng vẫn xếp sau chip Apple M5

Vi xử lý Snapdragon X2 Elite Extreme 18 nhân của Qualcomm ghi nhận điểm...

ASRock đạt tốc độ 7400 MT/s với RAM DDR5 CQDIMM 256GB trên Z890I Nova WiFi R2.0

ASRock vừa chứng minh khả năng đạt tốc độ cực cao trên cấu hình...

tin liên quan