Bộ nhớ SK Hynix DDR5 cho thấy một số khả năng ép xung tuyệt vời trên nền tảng X670E cũ hơn và đã được thử nghiệm trên cả 8600 MT/giây và 8800 MT/giây. Tuy vậy chỉ mức ép xung 8600 MT/giây hoàn toàn ổn định, còn ở mức 8800 MT/giây, nơi RAM cho thấy lỗi.

Tốc độ RAM DDR5 trên 7000 MT/giây khá hiếm thấy trên nền tảng AMD nhưng không phải là không thể. Trên thực tế, một số chuyên gia ép xung hiện đã đẩy tốc độ RAM lên gần 7000 MT/giây với 4x DIMM, như chúng ta đã thấy gần đây.

Người dùng “sugi0lover” đã tải lên một video cho thấy các thử nghiệm ép xung của mình trên bo mạch chủ AM5 thế hệ trước với chipset 600. Cấu hình bao gồm bộ nhớ SK Hynix, bo mạch chủ ASUS ROG Crosshair X670E GENE và CPU AMD Ryzen 7 9800X3D. Tốc độ bộ nhớ mặc định là 5600 MT/giây nhưng bộ ép xung đã đẩy tốc độ lên 4300 MHz hoặc 8600 MT/giây, đây là một thành tích đáng kinh ngạc, đặc biệt là trên các nền tảng X670 cũ.

Tuy ROG Crosshair X670E GENE hỗ trợ lên đến 8000 MT/giây nhưng đạt đến 8600 MT/giây không phải là điều dễ dàng và quan trọng hơn hết là nó ổn định. Nhiều bài kiểm tra bộ nhớ đã được tiến hành và kết quả là hoàn hảo. Bài kiểm tra bộ nhớ ETR cho thấy không có lỗi nào và RunMemTestPro cũng vậy, trong đó mô-đun đã được kiểm tra nhiều lần. Tuy nhiên, khi bộ nhớ được ép xung lên 8800 MT/giây, nó không thể mang lại kết quả như vậy và lỗi bộ nhớ là khoảng 40%.

Nguồn: wccftech