Sự tăng trưởng mạnh mẽ của ngành HBM đã khơi dậy sự đổi mới nơi các nhà sản xuất, với việc gã khổng lồ SK hynix của Hàn Quốc tiết lộ kế hoạch cho bộ nhớ HBM4E tiên tiến.

Hiện tại, ngành công nghiệp AI coi HBM là một thành phần quan trọng để đạt được hiệu quả hoạt động mong muốn, do tầm quan trọng to lớn của nó trong các máy gia tốc AI hiện đại. Gần đây, tiêu chuẩn HBM3E đã được áp dụng rộng rãi trong các GPU AI mới như Blackwell B100 và Instinct MI300X, mang lại hiệu suất tăng đáng kể. Không dừng lại ở đó, SK hynix đã tiết lộ rằng đây mới chỉ là bước khởi đầu vì nhà sản xuất bộ nhớ Hàn Quốc có kế hoạch áp dụng hàng loạt HBM4E trong vòng hai năm tới.

Trong một thông báo gần đây, Kim Gwi-wook, người đứng đầu bộ phận công nghệ HBM của SK Hynix, tiết lộ rằng những tiến bộ về HBM đã lên những tầm cao mới. Điều này cho thấy SK Hynix thực sự đang có kế hoạch ra mắt HBM4E vào năm 2026.

Đây là lần đầu tiên HBM4E được nhà sản xuất Hàn Quốc đề cập đến, điều này không chỉ xác nhận sự tồn tại của tiêu chuẩn này, mà SK hynix còn tiết lộ những chi tiết tinh tế về quy trình sản xuất. Băng thông tính năng của HBM4E được cho là cao hơn 1,4 lần so với thế hệ trước, trong trường hợp này là HBM4 và tiết kiệm điện nhiều hơn.

Những phát triển xung quanh HBM4 đã xuất hiện cách đây một thời gian khi gã khổng lồ Hàn Quốc tiết lộ rằng họ sẽ sử dụng kỹ thuật phát triển MR-MUF. Kỹ thuật này nhằm mục đích tích hợp các chất bán dẫn logic và bộ nhớ vào một package duy nhất, SK đã thành lập liên minh với TSMC để đạt được mục tiêu này.

Nguồn: wccftech