HomeMobileSamsung ra mắt bộ nhớ UFS 4.0 đầu tiên cho Mobile

Samsung ra mắt bộ nhớ UFS 4.0 đầu tiên cho Mobile

Published on

Bộ nhớ UFS 4.0 của Samsung, được công bố lần đầu tiên vào tháng 5 năm nay, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt trong tháng này. Tiêu chuẩn bộ nhớ flash mới có tốc độ nhanh hơn rất nhiều so với công nghệ cũ sẽ được tìm thấy trong dòng sản phẩm điện thoại cao cấp của gã khổng lồ Hàn Quốc vào năm 2023.

UFS 4.0 của Samsung tăng gấp đôi băng thông so với UFS 3.1, đồng thời tiêu tốn ít năng lượng hơn
Trong Hội nghị thượng đỉnh bộ nhớ Flash 2022, Samsung đã cung cấp một số cập nhật cho các kế hoạch khác nhau của mình, bao gồm việc bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ UFS 4.0. Theo nhà sản xuất, tiêu chuẩn chip nhớ flash mới, hiệu quả hơn sẽ được sử dụng trong nhiều loại sản phẩm, như được nêu dưới đây.

“Bộ nhớ di động UFS 4.0 đầu tiên của ngành, do Samsung phát triển vào tháng 5, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt trong tháng này. UFS 4.0 mới sẽ là một thành phần quan trọng trong điện thoại thông minh cao cấp, với yêu cầu xử lý dữ liệu lớn cho các tính năng như hình ảnh độ phân giải cao và trò chơi di động nặng về đồ họa, VR và AR. ”

Samsung UFS 4.0 storage 1030x541 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Mặc dù Samsung chưa đề cập rõ ràng sản phẩm nào sẽ có bộ nhớ UFS 4.0 nhưng có nhiều khả năng chúng ta sẽ thấy chúng trong dòng Galaxy S23, có khả năng ra mắt vào năm sau. Nếu Galaxy S23 không có Exynos 2300 của Samsung, thì ít nhất chúng cũng có thể được coi là bộ nhớ flash thế hệ tiếp theo của gã khổng lồ Hàn Quốc.

Với việc sản xuất hàng loạt bắt đầu từ tháng này, người ta sẽ cho rằng bộ nhớ flash UFS 4.0 sẽ được tìm thấy các mẫu iPhone 14 sắp tới. Đáng buồn thay, Apple dựa vào bộ nhớ NVMe, vì vậy không có khả năng họ sẽ sử dụng công nghệ lưu trữ mới nhất của Samsung cho iPhone của mình. Tóm lại, UFS 4.0 sử dụng bộ nhớ V-NAND thế hệ 7 và bộ xứ lý độc quyền của Samsung có thể đạt tốc độ đọc lên đến 4.200MB/s và tốc độ ghi lên đến 2.800MB/s.

Ngoài ra, UFS 4.0 hỗ trợ lên đến 23,2Gbps trên mỗi làn, gấp đôi số lượng có thể đạt được theo tiêu chuẩn UFS 3.1. Giả sử hiệu suất và băng thông bộ nhớ không phải là ưu tiên. Trong trường hợp đó, bạn nên biết rằng tiêu chuẩn UFS 4.0 cải thiện 45% hiệu suất năng lượng trong tốc độ đọc so với thế hệ trước.

Nguồn: wccftech

tin mới nhất

AMD và Intel “vũ trang” ACE cho CPU AI x86 sắp ra mắt

Báo cáo kỹ thuật mới nhất của ACE (AI Compute Extensions - Tập lệnh...

Sony trình làng Lytia 910: Cảm biến LOFIC đầu tiên sở hữu dải nhạy sáng 100dB

Sony vừa chính thức công bố Lytia 910, dòng cảm biến hình ảnh LOFIC...

OnePlus ra mắt Pad 3 Pro trang bị Snapdragon 8 Elite Gen 5

OnePlus Pad 3 Pro chính thức ra mắt tại Trung Quốc, tích hợp màn...

AMD và Qualcomm ra mắt vi xử lý mới cho máy chủ và thiết bị thực tế ảo

AMD công bố vi xử lý EPYC tối ưu máy chủ AI, cùng lúc...

AMD EPYC tối ưu hạ tầng máy chủ cho trí tuệ nhân tạo Agentic

Dòng vi xử lý AMD EPYC cung cấp hiệu năng CPU cấp độ tủ...

tin liên quan

Samsung ra mắt màn hình Odyssey G8 OLED 6K, 5K và 4K mới

Samsung giới thiệu ba mẫu màn hình Odyssey G8...

Công nghệ ENSS trên Samsung Exynos 2600 tăng 15% hiệu năng

Vi xử lý Samsung Exynos 2600 tích hợp công...

Samsung hoãn sản xuất bộ nhớ HBM5E vô thời hạn

Samsung hoãn vô thời hạn quá trình sản xuất...

Pin silicon-carbon 20.000mAh của Samsung thử nghiệm thất bại ở chu kỳ 960

Samsung đã ngừng phát triển mẫu pin silicon-carbon 20.000mAh...

Samsung dự kiến trang bị pin silicon-carbon cho dòng Galaxy S thế hệ mới

Sau nhiều năm giữ nguyên dung lượng, Samsung dự...