Huawei đã thành công trong việc không bị phụ thuộc vào nguồn cung chip bằng cách sử dụng quy trình 7nm của SMIC cho Kirin 9000S, ra mắt lần đầu tiên trong dòng sản phẩm chủ lực Mate 60 và có những lời bàn tán rằng công ty bán dẫn lớn nhất Trung Quốc đã phát triển chip 5nm trong nửa đầu năm 2024.

Tuy nhiên, có vẻ như SMIC đã gặp phải một số trở ngại trong quá trình này, chủ yếu là do không có quyền truy cập vào thiết bị EUV tiên tiến, thứ cho phép công ty theo đuổi sản xuất hàng loạt các tấm wafer trên một công nghệ quang khắc tinh vi hơn gấp nhiều lần. Tuy nhiên, công ty cần tìm cách vượt qua ngưỡng 7nm và theo một báo cáo mới, SMIC sẽ hoàn thành quá trình phát triển chip 5nm vào năm 2025.

Dữ liệu do Kiwoom Securities công bố và được @Jukanlosreve phát hiện có đề cập đến thời điểm SMIC dự kiến ​​hoàn tất quá trình phát triển chip 5nm. Với Kirin 9020 của dòng Mate 70 được cho là sẽ sản xuất hàng loạt trên công nghệ in thạch bản 7nm, người ta có thể ngay lập tức nghi ngờ nhà máy đúc của Trung Quốc đang gặp phải nhiều trở ngại với tiến trình 5nm của mình.

Ví dụ, các tấm wafer 5nm của SMIC được cho là sẽ đắt hơn tới 50% so với TSMC trong cùng một quy trình sản xuất, với năng suất được cho là chỉ đạt 33%. Đây là kết quả của việc sử dụng thiết bị DUV thế hệ cũ thay vì EUV, đòi hỏi phải tạo mẫu bổ sung để đạt được công nghệ in thạch bản này thành công.

Các bước bổ sung không chỉ cần nhiều thời gian hơn để sản xuất các tấm wafer 5nm mà còn làm giảm sản lượng của SMIC, dẫn đến số lượng “lô hàng kém chất lượng” cao hơn. Có lẽ cách duy nhất để thoát khỏi hố đen bán dẫn này là công ty Trung Quốc phải khoanh tay đứng nhìn và hy vọng rằng Trung Quốc sẽ phát triển thành công các máy EUV đầu tiên, chiếc máy dự kiến là sẽ đi vào sản xuất thử nghiệm vào quý 3 năm 2025.

SiCarrier, một nhà sản xuất thiết bị Trung Quốc khác có liên kết với Huawei, được cho là đang nghiên cứu nhiều sản phẩm thay thế phù hợp cho ASML, cho phép khu vực này bắt đầu sản xuất thành công các chất bán dẫn tiên tiến trên quy mô lớn.

Nguồn: wccftech