Samsung sắp trình làng sản phẩm DRAM GDDR7 cao cấp nhất của mình tại ISSCC 2025, có thể đạt tốc độ khủng khiếp 42,5 Gbps. Đây sẽ là mô-đun 24 Gb hoặc 3 GB hướng đến hiệu năng tốt nhất có thể, đồng thời cũng tiết kiệm điện hơn so với các thế hệ trước.
Các sự kiện đặc biệt của ISSCC sẽ diễn ra tại California từ ngày 16 tháng 2 đến ngày 20 tháng 2, tại San Francisco, nơi các nhà sản xuất chip sẽ giới thiệu các sản phẩm chủ lực.
Công nghệ DRAM GDDR7 thế hệ mới của Samsung có thể xuất hiện trong các sản phẩm tương lai, chẳng hạn như card RTX 60 series của NVIDIA. Hiện tại, NVIDIA sẽ trang bị cho GPU Blackwell RTX 50 series của mình các mô-đun GDDR7 chỉ có tốc độ 28 Gbps. Tốc độ này cao hơn 4 Gbps so với bộ nhớ GDDR6 24 Gbps hiện có trên RTX 4090. Tuy nhiên, những con số này sẽ trở thành dĩ vãng khi công nghệ DRAM mới được trình làng vào năm sau có tốc độ lên đến 42,5 Gbps.
Hiện tại, GPU Blackwell GeForce RTX 5090 cao cấp nhất của NVIDIA sẽ sử dụng bộ nhớ 28 Gbps, có thể được cải thiện lên hơn 30 Gbps với các thế hệ tương lai, chiếc card đồ hoạc được cho là sẽ có 32 GB bộ nhớ GDDR7 trên bus bộ nhớ 512 bit, tạo ra băng thông bộ nhớ 1,7-2,0 TB/giây. Con số này cao hơn RTX 4090 từ 1,7x đến 2,0x và về mặt lý thuyết, nếu VRAM trên RTX 5090 có thể đạt tới 42,5 Gbps, thì băng thông bộ nhớ sẽ đạt gần 2,5 Gbps.
Sự kiện ISSCC Nonvolatile and DRAM cũng có sự góp mặt của SK Hynix, nơi hãng sẽ giới thiệu công nghệ NAND 4D 321 lớp hiện đại nhất của mình, đây sẽ là nơi hai ông lớn Hàn Quốc có màn cạnh tranh khốc liệt.
Nguồn: wccftech
