Samsung ra mắt bộ nhớ UFS 4.0 đầu tiên cho Mobile

Published on

Quảng cáo

Bộ nhớ UFS 4.0 của Samsung, được công bố lần đầu tiên vào tháng 5 năm nay, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt trong tháng này. Tiêu chuẩn bộ nhớ flash mới có tốc độ nhanh hơn rất nhiều so với công nghệ cũ sẽ được tìm thấy trong dòng sản phẩm điện thoại cao cấp của gã khổng lồ Hàn Quốc vào năm 2023.

UFS 4.0 của Samsung tăng gấp đôi băng thông so với UFS 3.1, đồng thời tiêu tốn ít năng lượng hơn
Trong Hội nghị thượng đỉnh bộ nhớ Flash 2022, Samsung đã cung cấp một số cập nhật cho các kế hoạch khác nhau của mình, bao gồm việc bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ UFS 4.0. Theo nhà sản xuất, tiêu chuẩn chip nhớ flash mới, hiệu quả hơn sẽ được sử dụng trong nhiều loại sản phẩm, như được nêu dưới đây.

“Bộ nhớ di động UFS 4.0 đầu tiên của ngành, do Samsung phát triển vào tháng 5, dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt trong tháng này. UFS 4.0 mới sẽ là một thành phần quan trọng trong điện thoại thông minh cao cấp, với yêu cầu xử lý dữ liệu lớn cho các tính năng như hình ảnh độ phân giải cao và trò chơi di động nặng về đồ họa, VR và AR. ”

Samsung UFS 4.0 storage 1030x541 1 MMOSITE - Thông tin công nghệ

Mặc dù Samsung chưa đề cập rõ ràng sản phẩm nào sẽ có bộ nhớ UFS 4.0 nhưng có nhiều khả năng chúng ta sẽ thấy chúng trong dòng Galaxy S23, có khả năng ra mắt vào năm sau. Nếu Galaxy S23 không có Exynos 2300 của Samsung, thì ít nhất chúng cũng có thể được coi là bộ nhớ flash thế hệ tiếp theo của gã khổng lồ Hàn Quốc.

Với việc sản xuất hàng loạt bắt đầu từ tháng này, người ta sẽ cho rằng bộ nhớ flash UFS 4.0 sẽ được tìm thấy các mẫu iPhone 14 sắp tới. Đáng buồn thay, Apple dựa vào bộ nhớ NVMe, vì vậy không có khả năng họ sẽ sử dụng công nghệ lưu trữ mới nhất của Samsung cho iPhone của mình. Tóm lại, UFS 4.0 sử dụng bộ nhớ V-NAND thế hệ 7 và bộ xứ lý độc quyền của Samsung có thể đạt tốc độ đọc lên đến 4.200MB/s và tốc độ ghi lên đến 2.800MB/s.

Ngoài ra, UFS 4.0 hỗ trợ lên đến 23,2Gbps trên mỗi làn, gấp đôi số lượng có thể đạt được theo tiêu chuẩn UFS 3.1. Giả sử hiệu suất và băng thông bộ nhớ không phải là ưu tiên. Trong trường hợp đó, bạn nên biết rằng tiêu chuẩn UFS 4.0 cải thiện 45% hiệu suất năng lượng trong tốc độ đọc so với thế hệ trước.

Nguồn: wccftech

Tin mới

Huawei tự hào giảm 50% bộ đệm xung nhịp nhờ LogicFolding

Công nghệ LogicFolding của Huawei, dù ra đời trong bối cảnh ngặt nghèo của...

ASRock trang bị GPU RTX Pro 4000 và 2000 cho dòng máy tính nhỏ gọn DeskSlim

Hãng phần cứng danh tiếng ASRock vừa công bố các cấu hình mới cho...

POCO ra mắt POCO C95 Pro tại Việt Nam: Pin 7.500mAh bền bỉ

POCO C95 Pro nổi bật với viên pin dung lượng lớn 7.500mAh, sạc nhanh...

Xiaomi Smart Band 11 ra mắt: Tiếp nối sức hút “vòng đeo tay thông minh quốc dân”

Với màn hình AMOLED 1.72 inch có độ sáng lên đến 2.000 nit, cùng...

AOC trình làng màn hình gaming IPS 1000Hz đầu tiên trên thế giới

Theo công bố từ AOC, điểm khác biệt của sản phẩm này so với...

Montage Technology (Trung Quốc) sản xuất hàng loạt chip CKD DDR5 đạt tốc độ 9200 MT/s

Bất chấp tình trạng khan hiếm và biến động giá cả trên toàn cầu,...

Microsoft lý giải sự vắng bóng của chip AMD trên dòng Surface

Dòng sản phẩm Surface của Microsoft hiện nay chủ yếu sử dụng vi xử...

Nothing ra mắt Headphone (1) Pro

Nothing, công ty công nghệ có trụ sở tại Luân Đôn giới thiệu Headphone...

Noctua hé lộ thiết bị theo dõi nguồn WireView Pro II “Noctua” Edition

Thương hiệu tản nhiệt danh tiếng Noctua vừa tiếp tục mở rộng hệ sinh...

Meta ra mắt kính thực tế ảo Meta VR Glasses và kính Ray-Ban Meta Audio

Tại sự kiện Meta Connect 2026, Meta đã chính thức trình làng hai mẫu...

tin liên quan