Kingston FURY ra mắt bộ nhớ RAM Impact DDR5 SODIMM, đạt chứng nhận Intel XPM 3.0

Kingston FURY chính thức ra mắt bộ nhớ Kingston FURY Impact DDR5 SODIMM – một lựa chọn hoàn hảo cho các game thủ hoặc tín đồ đam mê máy tính yêu cầu hiệu suất cấp độ cao mới nhất trên máy tính xách tay hoặc máy tính cỡ nhỏ.

Kingston FURY Impact DDR5 có tốc độ nhanh hơn 50% so với bộ nhớ DDR4 nhằm tăng cường trải nghiệm chơi game, đa tác vụ và khả năng kết xuất trong khi mức tiêu thụ điện năng thấp và hiệu suất cao giữ cho hệ thống luôn mát mẻ ở mức điện áp 1.1V. Tương thích với Intel XMP 3.0 Certified SODIMM trong các phiên bản dung lượng của bộ công cụ tối đa lên đến 64GB, Kingston FURY Impact DDR5 cung cấp tất cả các tính năng nâng cao của DDR5 trong một thiết kế thon gọn. Với công nghệ ép xung Plug N Play tiên tiến và on-die ECC, Kingston FURY Impact DDR5 tự động hỗ trợ xung nhịp 4800MT/giây ở độ trễ thấp hơn so với DDR5-4800 tiêu chuẩn. Nhờ đó, cải thiện hiệu suất hệ thống mà không cần phải kích hoạt cấu hình và duy trì tính toàn vẹn của dữ liệu trong khi đạt tốc độ cực cao.

 “Chúng tôi rất vui mừng mở rộng dòng sản phẩm bộ nhớ hiệu suất cao DDR5 với phiên bản Kingston FURY Impact DDR5 SODIMM mới nhất. Giờ đây, các game thủ và nhà sáng tạo nội dung đã có thể trải nghiệm sức mạnh của DDR5 trên cả máy tính để bàn và máy tính xách tay”, Kingston cho biết.

Kingston FURY Impact DDR5 có hai mức dung lượng gồm mô-đun đơn lên tới 32GB và bộ kit 2 lên tới 64GB. Thiết bị được bảo hành trọn đời có giới hạn với kinh nghiệm chuyên môn đáng tin cậy suốt hơn 30 năm qua của Kingston.

Kingston FURY Impact DDR5 – Tính năng và Thông số kỹ thuật

  • Hiệu suất DDR5 SODIMM mạnh mẽ: Nhanh hơn 50% so với DDR4 nhằm tăng cường trải nghiệm chơi game, đa tác vụ và khả năng kết xuất.
  • Chức năng tự động ép xung với tính năng Plug N Play: Kingston FURY Impact DDR5 tự động ép xung lên tần số cao nhất được công bố.
  • Cấu hình tương thích và được chứng nhận Intel XMP 3.0: Tối đa hóa hiệu suất bộ nhớ nhờ khả năng tiên tiến về tối ưu hóa thời gian, tốc độ và điện áp để ép xung.
  • Ít tiêu thụ điện năng, Tăng hiệu suất hệ thống: Vận hành hệ thống hiệu quả, không bị nóng với điện áp thấp 1.1V của Impact DDR5.
  • Nâng cao Độ ổn định với On-Die ECC: Đảm bảo tính toàn vẹn của dữ liệu khi ép xung ở tốc độ cao.
  • Dung lượng:
    • Mô-đun đơn: 8GB, 16GB, 32GB
    • Bộ kit 2: 16GB, 32GB, 64GB
  • Tần số: 4800MT/giây
  • Độ trễ: CL38
  • Điện áp: 1,1V
  • Nhiệt độ vận hành: 0°C đến 85°C
  • Kích thước: 6mm x 30mm

BÀI VIẾT LIÊN QUAN

TIN NỔI BẬT

Sponsored